产品名称:高效单节锂电保护芯片
产品系列:R5449(新款)
代理品牌:日本理光
产品封装:WLCSP-8-P8
交期时间:现货一般当天交货,预定需电话详情.
发货货仓:深圳福田
热门标签:单节锂电保护芯片,高效单节锂电保护芯片,电池保护芯片
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产品名称:高效单节锂电保护芯片
产品系列:R5449(新款)
代理品牌:日本理光
产品封装:WLCSP-8-P8
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R5449系列芯片是单节锂电池保护芯片,对过电压充电,欠电压放电,充电过电流,放电过电流,以及温度异常均有保护作用。此芯片能驱动外置高位Nch MOSFET开关,此芯片对电压,电流的检测精度非常高,并且能够防止0V电池再充电。
此外,本产品提供超低耗电的Standby Mode,当发现欠压放电,电压低于电路最低值时,会进入Standby Mode, 此时内部电路会停止工作。另外,使用CTL端子也可以强制芯片进入Standby Mode。
项目 | 消费 | ||
---|---|---|---|
输入电压 | 1.5 V to 5.0 V (Maximum Rating: 6.5 V) | ||
元件数 | 1 | ||
电源电流 | Typ. 5.0 µA | ||
待机电流 | Max. 0.04 µA | ||
过充电检测电压 | 4.2 V to 4.6 V (0.005 V step) | ||
过充电检测电压精度 | ±10 mV (0°C ≤ Ta ≤ 50°C) | ||
过充电检测延迟时间 | 1024 ms / 2048 ms / 3072 ms / 4096 ms | ||
过放电检测电压 | 2.0 V to 3.4 V (0.005 V step) | ||
过放电检测电压精度 | ±35 mV | ||
过放电检测延迟时间 | 16 ms / 32 ms / 128 ms | ||
放电过电流检测电压 | 0.012 V to 0.150 V (0.001 V step) | ||
放电过电流检测电压精度 | 0.012 V to 0.040 V: ±2mV 0.041 V to 0.060 V: ±5% 0.061 V to 0.150 V: ±3mV | ||
放电过电流检测延迟时间 | 32 ms / 128 ms / 256 ms / 512 ms / 1024 ms | ||
充电过电流检测电压 | −0.150 V to −0.012 V (0.001 V step) | ||
充电过电流检测电压精度 | −0.150 V to −0.061 V: ±3mV −0.060 V to −0.041 V: ±5% −0.040 V to −0.012 V: ±2mV | ||
充电过电流检测延迟时间 | 8 ms | ||
短路检测电压 | 0.032 V to 0.200 V (0.005V step) | ||
短路检测电压精度 | ±3 mV | ||
检测延迟时间短 | 280 µs | ||
恢复过充的条件 | Latch | ||
恢复过放电的条件 | Latch | ||
封装 | WLCSP-8-P8 | ||
0 V Battery Charge | Inhibition | ||
Current Sense | Resistor / FET | ||
Thermal Protection | Charge and Discharge Current |
【说 明】
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产品名称 | 对应 | 封装 | 标注 | 信赖性 |
---|---|---|---|---|
R5449Zxxxxx-E2-F | WLCSP-8-P8 | R5449Z | R5449Z-F |
有关产品的详细信息,请参见数据表。
封装文件包括封装尺寸,卷带规格,卷带盘尺寸,功耗和建议的焊盘图案。
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