产品名称：台湾松木P沟道 30V(D-S)MOSFET
产品型号：ME2307/ME2307-G
代理品牌：台湾松木
产品封装：SOT-23
交期时间：现货一般当天交货，具体需电话详情.
发货货仓：深圳/香港
热门标签：P沟道ME2307-G，松木MEME2307，松木mos
咨询热线： 在线咨询
台湾松木P沟道ME2307/ME2307-G mos管
全新包装/原厂正品/量大价优/售后无忧
现货推荐
recommended
联系电话
recommended
联系人：商务接待
电 话：0755-8332 2522
传 真：0755-8364 8400
地 址：深圳市福田区彩田南路2010号中深花园A座六层
产品概况
产品特点
相关下载
ME2307一般说明：
ME2307是P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。 这种高密度工艺特别适合于最小化通态电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如：作为手机和笔记本计算机的电源管理以及其他电池供电的电路，在非常小巧的表面贴装封装中，需要较低的在线功率损耗。
ME2307应用领域：
●笔记本中的电源管理
●便携式设备
●电池供电系统
●负荷开关
●DSC
GENERAL DESCRIPTION
The ME2307 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits
where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
APPLICATIONS
● Power Management in Note book
● Portable Equipment
● Battery Powered System
● Load Switch
● DSC
ME2307特征：
●RDS（ON）≦70mΩ@ VGS = -10V
●RDS（ON）≦95mΩ@VGS=-4.5V
●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）
FEATURES
● RDS(ON) ≦70m?@VGS=-10V
● RDS(ON) ≦95m?@VGS=-4.5V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
标签：
