产品名称:台湾松木P 沟道 20V (D-S) MOSFET
产品型号:ME2333/ME2333-G
代理品牌:台湾松木
产品封装:SOT-23
交期时间:现货一般当天交货,具体需电话详情.
发货货仓:深圳/香港
热门标签:松木ME2333/ME2333-G,P沟道MOS管
咨询热线: 在线咨询
产品名称:台湾松木P 沟道 20V (D-S) MOSFET
产品型号:ME2333/ME2333-G
代理品牌:台湾松木
产品封装:SOT-23
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ME2333 / ME2333-G,P沟道20V(D-S)MOSFET
ME2333一般说明:
ME2333是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计,可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合低压应用,例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路,在这些应用中,需要采用非常小巧的表面贴装封装进行高端开关和低串联电源损耗。
ME2333产品应用:
●笔记本中的电源管理
●便携式设备
●电池供电系统
●DC / DC转换器
●负荷开关
●DSC
●液晶显示逆变器
ME2333/ME2333-G,P-Channel 20V (D-S) MOSFET
GENERAL DESCRIPTION
The ME2333 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook
computer power management and other battery powered circuits where high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
APPLICATIONS
● Power Management in Note book
● Portable Equipment
● Battery Powered System
● DC/DC Converter
● Load Switch
● DSC
● LCD Display inverter
ME2333特征:
●RDS(ON)≦35mΩ@VGS=-4.5V
●RDS(ON)≦49mΩ@VGS=-2.5V
●RDS(ON)≦69mΩ@VGS=-1.8V
●超高密度电池设计,可实现极低的RDS(ON)
●出色的导通电阻和最大直流电流能力
FEATURES
● RDS(ON)≦35m?@VGS=-4.5V
● RDS(ON)≦49m?@VGS=-2.5V
● RDS(ON)≦69m?@VGS=-1.8V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability