产品名称：松木ME4413D-G P沟道增强模式MOSFET管
产品型号：ME4413D-G/ME4413D
代理品牌：台湾松木
产品封装：SOP8
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发货货仓：深圳/香港
热门标签：松木ME4413D-G/ME4413D，P沟道MOS管
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松木ME4413D-G P沟道增强模式MOSFET管
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产品概况
产品特点
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ME4413D / ME4413D-G，P沟道增强模式MOSFET，ESD保护
ME4413D-G一般说明：
ME4413D是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度该工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电的电路，它们需要使用非常小的外形表面安装封装来实现低的在线功率损耗。
ME4413D-G特征：
RDS（ON）≤13mΩ@VGS=-4.5V
RDS（ON）≦17mΩ@VGS=-2.5V
RDS（ON）≦26mΩ@VGS=-1.8V
超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）
静电防护
ME4413D-G应用领域：
笔记本中的电源管理
便携式设备
电池供电系统
ME4413D/ME4413D，P-Channel Enhancement Mode Mosfet , ESD Protection
GENERAL DESCRIPTION
The ME4413D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook
computer power management and other battery powered circuits where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
FEATURES
RDS(ON) ≦13mΩ@VGS=-4.5V
RDS(ON) ≦17mΩ@VGS=-2.5V
RDS(ON) ≦26mΩ@VGS=-1.8V
Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
ESD protection
APPLICATIONS
Power Management in Note book
Portable Equipment
Battery Powered System
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