产品型号：ME2348A
代理品牌：台湾松木Matsuki
产品封装：SOT-23
交期时间：现货一般当天发货，预订需电话详情.
发货货仓：深圳、香港、苏州
热门标签：松木Matsuki，松木Matsuki半导体
咨询热线： 在线咨询
松木ME2348A P沟道增强模式MOSFET管
全新包装/原厂正品/国产品牌/售后无忧
现货推荐
recommended
联系电话
recommended
联系人：商务接待
电 话：0755-8332 2522
传 真：0755-8364 8400
地 址：深圳市福田区彩田南路2010号中深花园A座六层
产品概况
产品特点
相关下载
一般说明
MEE2348A-G是一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Force MOS专利的扩展沟槽栅极（ETG）技术。这项先进技术是专门为最小化导通电阻和栅极电荷，并增强雪崩能力而量身定制的。
这些设备特别适用于中压应用，如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理和其他照明调光供电电路，以及非常小的外形表面安装封装中所需的低在线功耗。
产品特征
RDS（ON）≤130 mΩ@VGS=10V
RDS（ON）≤205 mΩ@VGS=5V
超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）
出色的导通电阻和最大直流电流能力
产品应用
电源管理
同步整流
负载开关
GENERAL DESCRIPTION
The MEE2348A-G is a N-Channel enhancement mode power field effect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on state resistance and gate charge, and enhance avalanche capability.
These devices are particularly suited for medium voltage application such as charger, adapter, notebook computer power management and other lighting dimming powered circuits, and low in-line power loss that are needed in a very small outline surface mount package.
FEATURES
RDS(ON)≦130 mΩ@VGS=10V
RDS(ON)≦205 mΩ@VGS=5V
Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
APPLICATIONS
Power Management
Synchronous Rectification
Load Switch
标签：
MOS管
